Proses pengeluaran kristal tunggal silikon karbida
Silikon karbida (SiC) ialah bahan semikonduktor penting dengan sifat termodinamik dan elektrik yang sangat baik. Ia digunakan secara meluas dalam peranti elektronik kuasa, peranti optoelektronik, penderia dan bidang lain. Kristal tunggal silikon karbida adalah salah satu bentuk bahan silikon karbida yang paling banyak digunakan. Proses penyediaannya agak kompleks, terutamanya termasuk penyediaan bahan mentah, pertumbuhan kristal dan pemprosesan wafer.
Silicon Carbide Single Crystal Bahan terutamanya menggunakan serbuk darjah SI yang tinggi sebagai bahan mentah untuk menanam kristal tunggal dengan kaedah termodinamik. Pertama, adalah perlu untuk memilih serbuk karbida silikon yang sesuai sebagai bahan mentah. Saiz kesucian dan zarah serbuk mempunyai pengaruh penting terhadap kualiti kristal akhir. Secara umum, serbuk karbida silikon kemelut tinggi dengan diameter serbuk dalam julat 1-5 um dipilih dan dipanaskan untuk menghilangkan kekotoran pada permukaan serbuk. Pada masa yang sama, juga perlu menyediakan jumlah pelarut dan fluks yang sesuai untuk mempromosikan pertumbuhan kristal karbida silikon.
Penerangan Produk
|
Nama produk |
Silicon Carbide |
| Ekspansivity linear |
1.5-2 |
| Kekerasan | Konvensional kasar |
| Spesifikasi | Mengikut permintaan pelanggan |
Logo & Penghantaran
S: Bolehkah saya mempunyai LOGO saya sendiri pada produk?
Ya, anda boleh menghantar reka bentuk anda kepada kami dan kami boleh membuat LOGO anda.
S: Bolehkah anda menguruskan penghantaran?
Pasti, kami mempunyai penghantar kargo tetap yang boleh mendapatkan harga terbaik daripada kebanyakan syarikat kapal dan menawarkan perkhidmatan profesional.
Cool tags: Silicon Carbide SIC Powder, China Silicon Carbide SIC Powder Manufacturers, Pembekal, Kilang